泰萊克萊 (Teledyne LeCroy) 為測試各種功率元件提供最大的信心——從低壓 (60 V) GaN 功率 MOSFET 到用於 500 V 應用的任何類型的 GaN 電晶體（FET 或 HEMT），再到常用於 1000 V（或更高）電壓的 Si 和 SiC MOSF 以及 IGBT。
無論是測試 GaN 和 SiC MOSFET，或是測試雙脈衝測試電路中的 MOSFET、測量逆變器子電路中的開關性能，亦或是測試整個系統的運作情況，Teledyne LeCroy 都能為您提供所需的解決方案。
雙脈衝測試程序用於評估功率半導體裝置的電路內動態特性。雙脈衝測試利用閘極驅動訊號對被測元件 (DUT) 施加壓力，測量裝置導通/關斷期間的能量損耗，以及二極體的反向恢復特性。
泰萊克克羅公司的DPT-AUTOMATION軟體以最實惠的價格提供最全面的雙脈衝測試自動化功能。
典型的差分探頭工作時的差分和共模額定值最大約為 24 V（有時高達 42 V）。高壓差分探頭沒有足夠的頻寬，在較低電壓下可能沒有足夠的精度，且尖端電容可能太大。光隔離高壓探頭價格昂貴，並且具有不必要的隔離性能。需要優化的探頭 - Teledyne LeCroy 擁有它們。
60 V GaN 設計必須具有高效率才能最大限度地延長電池壽命。為了最大限度地提高效率，60 V GaN MOSFET 使用快至 1 ns 的上升時間。需要低成本、高性能的探頭來測量所有訊號—閘極驅動、裝置輸出、直流電壓和系統輸出。
對於60V設計中較低的dV/dT和共模幹擾，光學探頭價格過高和/或性能過強。高壓差分探頭也未針對此應用進行效能最佳化。只有一款差分探頭－泰科電子（Teledyne LeCroy）DL-HCM系列－針對60V GaN偵測進行了最佳化。
DL-HCM 系列探頭具有高精度，能夠忠實地測量高速閘極驅動和裝置輸出訊號。
測量每個電路內訊號，無論它位於電路中的哪個位置，並具有針對更高電壓的可切換衰減。
系統輸出測量通常不需要高頻寬，但仍需要高精度、低雜訊和良好的抗雜訊（高探頭 CMRR）。如果探頭定價是一個挑戰，HVD 系列探頭可以平衡某些 GaN 系統測量的價格和性能。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO®) 在示波器的全頻寬額定值下始終提供 12 位元解析度。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO，您將永遠不想再使用其他示波器。
Teledyne LeCroy 示波器和軟體應用程式套件可對半橋、全橋和級聯 H 橋逆變器分段和系統進行更快、更完整的調試。
快速上升時間與高開關電壓結合使得難以進行無幹擾測量。訊號擷取需要有信心，以確保測量的訊號準確地描繪電路中的訊號。
在 650 Vdc 設計中實現的 500 V GaN MOSFET 的高 dV/dt 和電壓額定值需要專門的光學探頭、高品質高壓差分探頭以及高解析度、低雜訊示波器。
光學隔離以最快的 dV/dt 提供最佳的抗噪能力，同時還提供安全操作、高訊號保真度以及與緊湊型 GaN 設計中電路內訊號的最簡單連接。
光學隔離以最快的 dV/dt 提供最佳的抗噪能力，同時還提供安全操作、高訊號保真度以及與緊湊型 GaN 設計中電路內訊號的最簡單連接。
HVD3000A 系列差分探頭可在較寬的頻率範圍內提供高 CMRR，從而簡化嘈雜的高共模電力電子環境中的測量挑戰。此探頭的設計易於使用，可實現安全、精確的高壓浮動測量。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO®) 在示波器的全頻寬額定值下始終提供 12 位元解析度。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO，您將永遠不想再使用其他示波器。
Teledyne LeCroy 示波器和軟體應用程式套件可對半橋、全橋和級聯 H 橋逆變器分段和系統進行更快、更完整的調試。
碳化矽MOSFET元件通常用於更高的開關電壓和電流，並且與傳統的矽元件有許多共同的特性。碳化矽元件越來越多地應用於800V牽引逆變器以及下一代電力輸配電系統功率轉換設計。
額定電壓分別為 1200 V、1700 V 和 3300 V 的 SiC MOSFET 被應用於級聯 H 橋和多電平級聯 H 橋設計中，以實現高功率等級下的高工作電壓。測量這些設計中存在的各種訊號需要高性能、高可靠性的探頭。
光學隔離以最快的 dV/dt 提供最佳的抗噪能力，同時還提供安全操作、高訊號保真度以及與 SiC 設計中電路內訊號的方頭連接
Teledyne LeCroy HVD3605A 高壓差分探頭是唯一值得考慮用於 >1500 V SiC 測量的高壓差分探頭，並將卓越的抗噪性與高性能結合在一起。
公用事業併網太陽能光電 (PV) 逆變器、不間斷電源 (UPS) 和焊接系統通常使用 1500 Vdc 匯流排，以最大限度地降低系統成本。 Teledyne LeCroy 的 HVD3206A 或 HVD3220 非常適合此應用。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO®) 在示波器的全頻寬額定值下始終提供 12 位元解析度。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO，您將永遠不想再使用其他示波器。
Teledyne LeCroy 示波器和軟體應用程式套件可對級聯 H 橋和多級級聯 H 橋逆變器分段和系統提供更快、更完整的調試。
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比較高解析度示波器設計方法
本白皮書概述了各種高解析度設計方法，並舉例說明了它們對示波器性能的影響。 |
下載白皮書 |
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如何在 5 分鐘內選擇最佳的高壓示波器探頭 需要選擇高壓示波器探頭？面對琳瑯滿目的選擇感到困惑？泰科電子（Teledyne LeCroy）提供高壓探頭選擇指南，這是一款線上工具，可幫助您做出明智的選擇。以下是需要考慮的基本要點。 |
閱讀應用說明 |
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雙脈衝測試推薦設備清單 建議使用 Teledyne LeCroy 測試設備對 60 V GaN、650 V GaN/SiC 和 1000 V（或更高）SiC 進行雙脈衝測試，並附有 URL 連結。 |
規格書 |
加入泰科電子，參加以應用為重點的實用課程，課程中將有 GaN MOSFET 的現場演示。
本次網路研討會將指導參與者如何安全地進行雙脈衝測試，並捕捉和表徵 GaN 或 SiC 功率半導體裝置的動態響應。
在示波器咖啡時間網路研討會系列的第二部分中，我們將講解如何透過校正偏斜來消除時序誤差。探頭和/或通道之間的傳播延遲差異可能會影響時序測量的精確度。我們將介紹一些最大限度減少這些誤差的方法。
電力電子設計本身就存在測量上的挑戰。正確選擇和使用探頭對於操作人員、設備和被測器件 (DUT) 的安全至關重要，同時也對測量精度有顯著的影響。
本次網路研討會將介紹 48V 電源轉換系統的驗證和調試的新產品、最佳實踐和測量技術。
市場上出現了頻寬為 1 GHz 或更高、號稱具有 10 位元解析度的高解析度示波器， 12-bit 甚至（令人驚訝的是！）16 位元解析度。示波器製造商採用各種設計方法來提高分辨率，但其中一些方法會帶來其他性能上的妥協。歡迎參加泰科電子（Teledyne LeCroy）舉辦的兩期網路研討會，深入了解各廠商的說法。
註冊所有示波器製造商採用多種設計方法來提高分辨率，但其中一些方法會帶來其他性能上的妥協。歡迎參加由 Ken Johnson 主講的兩部分網路研討會，深入了解各廠商的說法。
示波器製造商採用多種設計方法來提高分辨率，但其中一些方法會帶來其他性能上的妥協。歡迎參加由 Ken Johnson 主講的兩部分網路研討會，深入了解各廠商的說法。
在我們的三相電力和電機大師網路研討會系列的第一部分中，我們介紹了測量閘極驅動訊號和裝置輸出死區時間的技術，以確保達到裕量。
在我們的三相電力和電機大師網路研討會系列的第二部分中，我們介紹了靜態功率分析和動態功率分析之間的區別，以及如何針對每種分析優化設定和測量。
在我們的三相電力和電機大師網路研討會系列的第三部分中，我們回顧了使用計算出的每週期功率波形來驗證和調試控制系統運行以控制功率段行為的範例。
在我們的三相電力和電機大師網路研討會系列的第 4 部分中，我們回顧了在相當於設備開關時間的功率週期內計算功率的範例。
在我們的三相電力和馬達大師網路研討會系列的第 5 部分中，我們示範如何對交流線路（50 或 60 Hz）輸入和可變頻率輸出的可變頻率波形進行總諧波失真 (THD) 和諧波分析。
在我們的三相電力和電機大師網路研討會系列的第 6 部分中，我們將重點介紹如何使用電機驅動分析儀 (MDA) 透過各種模擬、數位和串行數據感測器來測量電機機械軸的速度、扭矩和角度。
此鏈接 萬維網。teledynelecroy.com/wide-bandgap#雙脈衝測試 包含完整細節。簡而言之，通常使用半橋電路，並在半橋中點連接一個可切換電感。向低側或高側裝置施加模擬閘極驅動脈衝，並使用適當的隔離探頭和示波器進行各種測量。
單端探頭的接地端有效地連接了示波器接地和被測器件 (DUT) 的參考地。如果 DUT 的參考地無法與示波器接地（大地）連接，那麼在 DUT 參考地懸空於大地之上的功率轉換系統中進行任何測量時，都需要使用隔離式探頭。光隔離探頭雖然成本較高，但性能更優，尤其是在較高的浮動電壓和較高的開關電壓下，此時電磁幹擾 (EMI) 會更嚴重地干擾傳統（共模抑制比較低）電隔離探頭的性能。
泰科電子 (Teledyne LeCroy) DL-ISO 是一款新型高頻寬探頭，針對小訊號（例如閘極驅動）測量和高電壓（裝置輸出）測量均進行了最佳化。 DL-ISO 非常適合 GaN 和 SiC 裝置。泰科電子 HVFO 的頻寬較低（與矽和碳化矽的上升時間一致），僅針對小訊號測量進行了最佳化，但價格遠低於 DL-ISO。此連結 https://www.teledynelecroy.com/probes/high-voltage-optically-isolated-probes 有一個簡短的比較。
兩款探頭的拓樸結構相似。 Tek IsoVu 探頭的探頭頻寬為 1 GHz，但探頭+示波器組合頻寬小於 1 GHz（與 1 GHz 示波器配合使用時）；而 Teledyne LeCroy DL-ISO 探頭與 1 GHz 示波器配合使用時，其探頭+示波器組合頻寬為示波器組合帶寬為 1 GHz。因此，IsoVu 光隔離探頭在連接示波器時通常上升時間較慢，而 Teledyne LeCroy DL-ISO 在探頭+示波器組合中始終具有完整的額定頻寬（上升時間為 435 ps）。 Tek IsoVu 隔離探頭的引線比 Teledyne LeCroy DL-ISO 更硬、更不靈活，這在探測緊湊電路時是一個缺點。 Teledyne LeCroy DL-ISO 具有更低的雜訊、更高的精度和更忠實的訊號還原能力。然而，Tek IsoVu 得益於第二代設計，其探針尺寸更小。 觀看影片比較：DL-ISO 與 IsoVu 在 GaN/SiC 測量中的應用 閲讀更多的細節。
在 48 至 60V 的應用中，振幅略高於傳統差分探頭的共模和差分電壓額定值，但遠低於高壓差分探頭的共模和差分電壓額定值。額定共模電壓為 1000V 的高壓差分探頭通常帶有可切換的衰減器（例如，最大差分電壓約為 200V 時使用 50 倍衰減，最大差分電壓約為 2000V 時使用 500 倍衰減），而高衰減（50 倍電壓約為 2000V 時使用 500 倍衰減），而高衰減（50 倍）和過大的雜訊。此外，大多數高壓差分探頭的頻率通常限制在 200 MHz（雖然有些例外，但目前 400 MHz 是上限），這限制了它們在基於 GaN 的設計中的應用。 Teledyne LeCroy 的 DL-HCM 針對此特定應用中的這些電壓範圍進行了最佳化。 觀看網路研討會：48V 電源轉換測試最佳實踐 閲讀更多的細節。
Si、SiC 和 GaN 設計有許多不同的應用，對性能和可接受的價格範圍要求各不相同。 觀看網路研討會：如何選擇正確的高壓探頭 有關如何為您的應用選擇合適的探針的詳細資訊。 觀看網路研討會：高壓探頭實際案例及對比 更多詳情請見下文。如果您時間有限， 閱讀應用說明：如何在 5 分鐘內選擇最佳高壓示波器探頭.
泰萊克羅伊（Teledyne LeCroy）DA1855 和 DA1855A 系列差分放大器從 20 世紀 90 年代末一直生產到 21 世紀 20 年代初。當使用適當的導線連接到示波器時，它可以用作高壓差分探頭，在某些高壓模式下衰減低至 1 倍，在其他模式下增益可達 10 倍，共模抑制比 (CMRR) 為 100 dB，但頻寬僅為 100 MHz（不適用於 GaN 或 SiC）。 AP033 工作共模電壓高達 42V，增益為 10 倍，適用於分流電阻測量。 DL-HCM 其衰減低至7倍，可能適用於小訊號測量。對於導通損耗測量，我們推薦使用「測量MOSFET或IGBT導通損耗的最佳方法是什麼？」這個問題中所描述的技術。
將示波器漂浮在地面上是不安全的－這可能導致示波器操作者嚴重受傷甚至死亡，損壞示波器和探頭，以及損壞被測設備 (DUT)。此外，將示波器漂浮在地面上還需要有意改變示波器的既定用途。鑑於這些原因，所有信譽良好的公司和實驗室都嚴格禁止將示波器漂浮在地面上，並要求使用額定電壓合適的高壓探頭。而且，即使避免了人員傷亡，漂浮的示波器所收集訊號的測量精度也可能受到影響。