產品特色
-
150 MHz頻寬
-
35 kV 共模電壓額定值
-
適用於碳化矽
-
出色的雜訊抑制
-
與傳統的高壓差動探棒相比，待測物負載減少，脈衝響應更好
-
可選擇探頭從 +/-1V 到 +/-40V
適用於碳化矽
新的 HVFO108 具有 150 MHz 的頻寬，非常適合設計矽和碳化矽裝置的研發工程師，以及採用碳化矽裝置的系統開發工程師。
上端電閘驅動信號量測
HVFO108 忠實地呈現了上端閘門驅動信號，沒有負載和失真，可以清楚地看到米勒效應。 任何具有與 CGE 或 CGS 並聯的高尖端電容和/或與閘門驅動阻抗串聯的高阻抗和大迴路電感的傳統高壓差動探棒最多會加載閘門驅動信號或得到干擾，最壞的情況會導致電路故障. HVFO108 在這些測量中的表現的非常出色。
浮動控製或感應器信號量測
HVFO108 僅測量其高阻抗輸入導線上的低電壓感應器電壓。 待測物 (DUT) 的總負載非常小。 此外，低導線迴圈電感 >100dB CMRR 和低衰減提供卓越的信號保真度、雜訊抑制。
EMC、EFT、ESD 和 RF 抗擾度測試和系統優化
能以高信號保真度獲取在高電壓下浮動或存在 EMC 干擾信號的交流和直流感應器信號，並與內部電路和控制活動正確關聯。
光隔離是最好的
探棒尖端和示波器輸入之間的光隔離減少了待測物的不利負載，提供了可靠的脈衝響應，並提高了測量的可信度。 可以確保針對危險高壓電平的安全性，並且可以避免示波器的不安全“浮動”。
出色的雜訊抑制
儘管電路中其他地方存在高 dV/dt 或 dA/dt 事件，但高 CMRR (140 dB) 可更準確地表示測量信號。 測試導線經過優化以限制迴圈電感和收取輻射。 尖端衰減針對各種信號幅度進行了優化。